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我院徐小志研究员入选“2019中国十大新锐科技人物”

我院徐小志研究员入选“2019中国十大新锐科技人物”

2019年12月8日,由中国科协科学技术传播中心主办的“2019中国新锐科技论坛”落幕,华南师范大学物理与电信工程学院徐小志研究员入选“2019中国十大新锐科技人物”。

中国十大新锐科技人物评选的主旨,在于宣传中国一大批杰出的青年学者,展示其亮丽的科研成果,推动科研成果的普及与转化,并激励广大青年学者学生前行。自2015年推出以来,活动取得巨大的成功和热烈的反响,得到社会各界的广泛支持。四年来,候选人与获奖者中荣获国家杰出青年基金和教育部长江学者等荣誉的比例高达25%,其影响力、公信力和专业性,可见一斑。

徐小志,2017年博士毕业于北京大学,之后在北京大学继续从事博士后研究,2019年7月加入华南师范大学物理与电信工程学院。主要研究方向为米级单晶材料与表界面调控研究。近五年共发表文章19篇,其中IF>10的一共11篇,包括《Nature》、《Nature Nanotechnology》、《Nature Chemistry》、《Advanced Materials》等。

入选工作:Epitaxial growth of a 100-square-centimetre single-crystal hexagonal boron nitride monolayer on copper, Nature, 2019, 570, 91(https://www.nature.com/articles/s41586-019-1226-z),作为共同第一作者在Nature发表论文,在世界上首次实现百平方厘米级单晶二维绝缘材料氮化硼薄膜的制备。