基本情况

符斯列, 男, 凝聚态所 物理学科基础课实验教学示范中心

副教授, 博士

邮箱：fubruce@163.com

电话：13538764866

个人简介

副教授，硕士导师，95年长春光学精密机械学院光学专业本科毕业，04年华南师范大学微电子专业硕士研究生毕业，2007年博士毕业，目前在华师大物电学院任职。在EPL，ML，JSNM，PSST，PST，Vacuum，JCG，JAP,IJMP B，MPL B等发表论文科技论文40多篇，其中SCI收录20多篇，指导本科生在《物理实验》、《大学物理》、《大学物理实验》发表论文多篇。

目前研究方向

1. 半导体低维结构与特性的模拟分析；
2. 低温等离子体技术及应用；

招生信息

招收凝聚态专业研究生；欢迎有志于进行低维半导体及超导体特性模拟的本科生就读。
要求：身心健康，性格开朗，有一点点晶体学知识。

承担课程

本科生：
《固体物理》，《近代物理实验》（低温与固体表征部分）
研究生:
微电子专业《等离子体化学工艺》及《半导体光电子学与光电子器件》(已停）

以第一作者或通信作者发表的论文

论文，2024年，Geng‑Run Gan , Si-Lie Fu*,et al. Hydrogenation-induced superconductivity in WS2 monolayer[J]. EuroPhysics letters, 2024

论文，2024年，Si-Lie Fu *, Geng‑Run Gan,et al. Superconductivity in the Janus WSH monolayer[J]. Journal of Superconductivity and Novel Magnetism, 2024

论文，2024年，Si-Lie Fu *, Ya‑Peng Xie,et al. Large piezoelectricity in two-dimensional doped β-Ga₂O₃[J]. Materials letters, 2024

论文，2024年，Si-Lie Fu*,Xue‑Lian Gao，et al. Adsorption of NO on ZnO monolayer decorated with transition metal (Ti, V, Cr, Mn, Co, and Zr)[J].Chemical Materials letters,2024 (under review)

论文，2024年，Ya‑Peng Xie,Si-Lie Fu *, et al. Piezoelectric characteristics of doped β-Ga2O3 monolayer: a first-principles study[J]. Physica Scripta, 2024

论文，2023年， LinHan Wang, SiLie Fu*, ChunAn Wang, et al. The Electromagnetic Properties of ZnO Quantum Dot with Different Mn-Doping Sites[J]. Journal of Superconductivity and Novel Magnetism, 2023, 36:637–646

论文，2023年， LinHan Wang, SiLie Fu*, ChunAn Wang, et al. Effect of Mn doping at different sites on the structural and electronic properties of ZnO quantum dots[J]. International Journal of Modern Physics B, 2023, 2450153

论文，2022年，郑梓涵, 黄之豪, 符斯列*. 变温Hall效应计算n型Ge半导体的杂质电离能和禁带宽度[J]. 物理实验, 2022, 5:10-15.

论文，2022年，范千千, 徐坤熠, 符斯列*. 利用电容-电压法研究GaN异质结发光二极管的结构特点[J]. 大学物理, 2022, 41(5):69-73.

论文, 2021年 Jing Miao , Si-Lie Fu*, Chun-An Wang, et al. Effects of different Cu and N ratios on electronic and magnetic properties of (Cu, N) co-doped ZnO [J]. Modern Physics Letters B, 2021,

论文, 2021年，缪晶, 符斯列*. 纤锌矿 ZnO: Cu 体系空位缺陷的电磁特性理论研究[J].原子与分子物理学报, 2021, 38(3), 036006

论文, 2021年，雷涛, 符斯列*. 不同位置的 Mn 掺杂对 ZnO 量子点的电磁特性影响[J]. 原子与分子物理学报, 2021, 38(6), 066005

论文, 2020年, C A Wang，J X Li, S L Fu*. The Effect of Native Vacancy Defects on Electronic and Magnetic Properties of ZnO: Mn System. International journal of modern physics B, 2020

论文, 2020年, 郑晓思，符斯列*. C-V法研究GaN基蓝光发光二极管的多量子阱结构, 物理实验 ，2020.

论文, 2020年, 缪 晶，符斯列 等. 纤锌矿ZnO:Cu体系空位缺陷的电磁特性理论研究[J], 原子与分子物理学报，2020

论文, 2019年, 丁罗城 ,符斯列（通讯作者） 等. C-Cu共掺杂ZnO的p型导电性研究, 原子与分子物理学报，2019，36（2）：325-330

论文, 2019年, 李俊贤，符斯列* 等。本征空位缺陷对ZnO: Mn体系电子特性及磁性的影响 原子与分子物理学报（2019 accepted)

论文, 2019年, 王春安,符斯列.紧束缚近似下的立方晶格等能面. 大学物理，2019 

论文, 2019年, Chun-An Wanga, Si-Lie Fu*. Theoretical study of the effects of Mn: N ratios on electronic structure and magnetic properties of (Mn, N)-codoped ZnO, International journal of modern physics B，2019，33（12）1950116

论文, 2018年, Chun An Wang,Silie Fu*, et al. Temperature-dependent Power-law Analysis for Capacitance -Voltage of GaN-based pn junction. Journal of Applied Physics 123, 134502 (2018)

论文, 2018年, WANG Chun-an, FU Si-lie*, et al.Study of the Effect of Temperature on the pn Structure of GaN-based LED by C-V Measurement, Chin. J. Lumin. 2018,39(10):1417-1424 (EI收录）

论文, 2018年, S L Fu, C A Wang et.al. Hydrogen dissociation in the deposition of GaN films with ECR-PECVD process.Ind.J.Phys. 92(5):655-660 （2018）

论文, 2017年, 符斯列，王春安，蒋联娇，秦盈星，吴先球. C-V法测量GaN基蓝光LED的pn结特性. 物理实验，2017

论文, 2017年, 符斯列, 王春安, 丁罗城, 秦盈星.电子回旋共振等离子体中TMG的离解氢对气相沉积氮化镓薄膜的影响. 真空科学与技术学报，2017

论文, 2017年, 秦盈星，符斯列（通讯作者），丁罗城. Mn掺杂浓度对Mn-N共掺ZnO电子结构及磁性的影响，功能材料，2017

论文, 2017年, 苏秀崖,湛高超,符斯列(通信作者) 获得巨磁阻效应对称曲线的实验方法 物理实验 2017

论文, 2016年, 蒋联娇，符斯列（通讯作者），秦盈星，李健翔. 空位型点缺陷对Mn掺杂GaN体系电子结构及光学性质影响的研究. 功能材料, 2016，47: 1001-9731(2016)-001-04

论文, 2015年, 李健翔，符斯列（通讯作者），蒋联娇，马娟娟，唐吉玉. 高压强下ＧａＮ的结构相变及电子结构的第一性原理研究, 材料导报， 2015，29（11）：141－149

论文, 2013年, Fu Silie, Wang Chun-ann, Chen Junfang. Optical Emission Analyses of N2/TMG ECR Plasma for Deposition of GaN Film, Spectroscopy and Spectral Analysis. 2013, 33 (4)：1108－1111

论文, 2012年, Fu Silie, Chen Junfang，Wang Chun-ann, Gao peng, et al. Stress Analyses of GaN Film Manufactured by ECR Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition. Vacuum, 2012, 86:1517

论文, 2010年, 符斯列, 王春安, 陈俊芳. 变温霍尔效应测量n型锗半导体薄膜材料禁带宽度研究. 实验科学与技术. 2010, 8(2):15-17

论文, 2010年, 符斯列，陈俊芳. Langmuir探针测量低温等离子体参数特性实验, 实验室研究与探索. 2010，29（3）：4-7

论文, 2009年, Fu Silie, Chen Junfang，Zhang Hongbin, Guo Chaofen, Li Wei, Zhao Wenfen. Characterizations of GaN film growth by ECR plasma chemical vapor deposition. Journal of Crystal Growth, 2009, 311(12): 3325–3331

论文, 2008年, Fu Silie, Chen Junfang, Li Yun, Li Wei,Zhang Maoping，Hu Shejun.Optical Emission Spectroscopy of Electron Cyclotron Resonance-Plasma Enchanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition Process for Deposition of GaN Film. Plasma Science & Technology. 2008,10(1): 70-73

论文, 2006年, Fu Silie, Chen Junfang, Wu XianQiu, Wang Ningxing, Zhang Maoping, Hu Shejun. Spatial Distribution of ECR Plasma Density in the ECR-PECVD Reaction Chamber Plasma Science & Technology. 2006, 8(3): 300-302.

论文, 2006年, Fu Silie, Chen Junfang, Hu SheJun, Wu Xian-Qiu, Lee Yun, Fan Shuan-Li. Study on the characteristics of ECR plasma spatial distribution. Plasma Sources Science and Technology, 2006, 15: 187–192