《半导体学报》于2020年启动首届 “中国半导体年度十大研究进展”的推荐和评选工作，旨在记录我国半导体科学与技术研究领域的标志性成果。由43名半导体领域权威专家组成的评选委员会，历经两轮严格评选， 38项优秀研究成果按照投票排名最终选出10项。我校物理与电信工程学院、广东省量子调控工程与材料重点实验室青年拔尖人才徐小志研究员及合作者“在国际上首次实现的种类最全（30余种）、尺寸最大（A4纸尺寸）的高指数晶面单晶铜箔库制造”成功入选“2020年度中国半导体十大研究进展”。

近年来，随着微纳加工技术的不断进步，芯片集成度愈发增大，短沟道效应和热效应的问题显现出来，这对材料性能提出了更高的要求。而单晶铜具有低损耗电学传输、高散热性能等优异性质，是半导体工业中优选的导电散热材料。此外，在全二维器件的研发中，石墨烯与氮化硼被认为是全二维器件中最佳的半金属和绝缘体材料，而单晶铜箔被证明是用来外延生长单晶石墨烯与氮化硼等二维材料的关键衬底，因此，制备具有多种对称性结构的大尺寸单晶铜箔在半导体工业上具有重大意义。

我校徐小志研究员与北京大学刘开辉研究员、王恩哥院士团队，南方科技大学俞大鹏院士团队和韩国蔚山科学技术学院的丁峰教授团队等合作提出了全新的晶体表界面调控“变异和遗传”生长机制，在国际上首次实现了种类最全、尺寸最大的高指数晶面单晶铜箔库的制造，相关研究成果以“Seeded growth of large single-crystal copper foils with high-index facets”为题发表在《自然》杂志上（Nature 2020, 581, 406–410）。

论文链接：https://www.nature.com/articles/s41586-020-2298-5

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图一：高指数单晶铜箔库示意图