报告题目：硅基量子材料外延与器件

报告人：张建军研究员  中国科学院物理研究所

报告时间：2021年9月09日（周四） 15：00

报告地点：理6栋220       邀请人：张新定

报告内容：

      主要介绍课题组近年来在硅基量子计算材料和硅基光电子材料和器件方面的研究进展。硅基量子计算材料部分，主要介绍用于半导体量子计算的硅基锗量子线的可控制备，锗具有已知半导体最高的空穴迁移率，具有强自旋轨道相互作用和弱超精细相互作用，是构造量子比特及寻找新奇量子态如马约拉纳费米子的理想系统，结合自上而下纳米加工和自下而上自组装，实现在图形化衬底上锗量子线位置、形貌和结构的可控制备，并在量子线中观测到了强的可电场调节的自旋轨道作用和相邻量子点之间的耦合。硅基光电子材料与器件部分，主要介绍硅基III-V材料异质外延和激光器方面的研究工作。硅基激光器是硅基光电子单片集成的瓶颈。通过在图形化硅衬底上的同质外延获得具有原子级平整(111)晶面的孔洞结构，我们有效解决了硅上生长Ⅲ-Ⅴ材料存在的反相畴、晶格失配和热失配的关键难题，硅图形衬底上量子点的发光强度达到了和GaAs衬底上同样的水平，并实现了硅基和SOI基系列InAs/GaAs量子点激光器。

专家简介：

      张建军，中国科学院物理研究所/松山湖材料实验室研究员，博士生导师，课题组长。2005-2010年德国马普固体研究所和奥地利约翰开普勒大学联合培养博士，其后在德国莱布尼兹固体和材料研究所和澳大利亚量子计算和通讯技术卓越中心作博士后，2014年回中科院物理所，2016年成立半导体量子材料与器件课题组。课题组主要从事半导体材料与器件研究包括低维半导体材料的原子制造，量子计算材料，硅基III-V族材料与光电子器件研究，承担科学院、基金委、重点研发计划课题以及地方和知名公司的多个课题。