物理学院学术报告（第55期）

报告题目：过渡金属硫化物半导体材料制备及应用研究

报告专家：左勇刚 副教授    昆明理工大学

报告时间：2024年07月09日（周二）11:00

报告地点：理6栋525      邀请人：周旭

报告内容：

在半导体器件不断向小型化、柔性化及高度集成化发展的主流趋势下，以过渡金属硫族化合物（TMDs）为代表的低维半导体材料，显示出独特的优势。它不仅具有超薄厚度（单原子或少原子层），而且表现出优异的电学、光学、力学、电化学及多自由度可调控性，使其在柔性电子，光电探测和气体传感等领域极具应用潜力，被誉为是下一代半导体器件的核心材料。近年来汇报人围绕过渡金属硫化物半导体的可控制备，针对不同应用场景，基于表界面调控机理，采用不同策略分别实现了大面积WS2条带阵列，高品质TMDs晶圆以及TMDs复合光纤新型非线性材料的有效合成，且均对应展现出优异的光电性能，推动了过渡金属硫化物半导体材料在电子、光电子以及非线性光学器件等领域的应用。

专家简介：

左勇刚，昆明理工大学 副教授。博士毕业于中国科学院大学（2017），之后加入中科院物理研究所/北京大学从事联合培养博士后研究（刘开辉教授团队）。2021年入职昆明理工大学冶金与能源工程学院，主要从事低维材料制备及应用，非常规冶金新技术开发和资源综合回收利用等方面研究。截止目前共发表学术论文30余篇，申请国家发明专利9项。相关研究成果在Science、 Nature Nanotechnology和 Nature Communications等国际顶级期刊发表。2022年入选云南省“兴滇英才支持计划”青年人才专项。